1.防雷區(lightning protection zone)(LPZ):劃分雷擊電磁環境的(de)區，一(yī)個防雷區的(de)區界面不一(yī)定要有(yǒu)實物界面，例如(rú)不一(yī)定要有(yǒu)牆壁、地(dì)闆或天花闆作為(wèi)區界面。

2.雷擊電磁脈沖(lightning electromagnetic impulse)(LEMP):雷電流經電阻、電感、電容耦合産生的(de)電磁效應，包含閃電電湧和(hé)輻射電磁場。2.0.26電氣系統electrical system由低(dī)壓供電組合部件構成的(de)系統。也稱低(dī)壓配電系統或低(dī)壓配電線路。

3.電子(zǐ)系統(electronic system)由敏感電子(zǐ)組合部件構成的(de)系統。

4.建（構）築物內(nèi)系統internal system建（構）築物內(nèi)的(de)電氣系統和(hé)電子(zǐ)系統。

5.電湧保護器surge protective device(SPD)用于限制瞬态過電壓和(hé)分洩電湧電流的(de)器件。它至少含有(yǒu)一(yī)個非線性元件。

6.保護模式modes of protection電氣系統電湧保護器的(de)保護部件可(kě)連接在相對相、相對地(dì)、相對中性線、中性線對地(dì)及其組合，以及電子(zǐ)系統電湧保護器的(de)保護部件連接在線與線、線與地(dì)及其組合。

7.最大持續運行(xíng)電壓maximum continuous operating voltage(Ue)可(kě)持續加于電氣系統電湧保護器保護模式的(de)最大方均根電壓或直流電壓；可(kě)持續加于電子(zǐ)系統電湧保護器端子(zǐ)上，且不緻引起電湧保護器傳輸特性減低(dī)的(de)最大方均根電壓或直流電壓。

8.标稱放電電流nominal discharge current(In)流過電湧保護器8/20μs電流波的(de)峰值。

9.沖擊電流impulse current(Iimp)由電流幅值Ipeak、電荷Q和(hé)單位能量W/R所限定。

10.以Iimp試驗的(de)電湧保護器SPD tested with Iimp耐得起10/350μs典型波形的(de)部分雷電流的(de)電湧保護器需要用Iimp電流做(zuò)相應的(de)沖擊試驗。

10.級試驗class I test電氣系統中采用1級試驗的(de)電湧保護器要用标稱放電電流In、1.2/50μs沖擊電壓和(hé)最大沖擊電流Iimp做(zuò)試驗。1級試驗也可(kě)用T1外加方框表示，即T1.以In試驗的(de)電湧保護器SPD tested with I n耐得起8/20μs典型波形的(de)感應電湧電流的(de)電湧保護器需要用In電流做(zuò)相應的(de)沖擊試驗。

11.ⅡI級試驗class II test電氣系統中采用Ⅱ級試驗的(de)電湧保護器要用标稱放電電流In、1.2/50μs沖擊電壓和(hé)8/20μs電流波最大放電電流Imax做(zuò)試驗。Ⅱ級試驗也可(kě)用T2外加方框表示，以組合波試驗的(de)電湧保護器SPD tested with a 

combinationwave耐得起8/20μs典型波形的(de)感應電湧電流的(de)電湧保護器需要用Isc短(duǎn)路電流做(zuò)相應的(de)沖擊試驗。

12.III級試驗class III test電氣系統中采用I級試驗的(de)電湧保護器要用組合波做(zuò)試驗。組合波定義為(wèi)由2Q組合波發生器産生

1.2/50μs開路電壓Uoc和(hé)8/20μs短(duǎn)路電流Isc。II級試驗也可(kě)用T3外加方框表示，即T3.

13.電壓開關型電湧保護器voltage switching type SPD無電湧出現時為(wèi)高(gāo)阻抗，當出現電壓電湧時突變為(wèi)低(dī)阻抗。通常采用

放電間隙、充氣放電管、矽可(kě)控整流器或三端雙向可(kě)控矽元件做(zuò)這類電湧保護器的(de)組件。也稱“克羅巴型”電湧保護器。具有(yǒu)不連續的(de)電壓、電流特性。

14.限壓型電湧保護器voltage limiting type SPD無電湧出現時為(wèi)高(gāo)阻抗，随着電湧電流和(hé)電壓的(de)增加，阻抗連續變小。通常采用壓敏電阻、抑制二極管做(zuò)限壓型電湧保護器的(de)組件。也稱“籍壓型”電湧保護器。具有(yǒu)連續的(de)電壓、電流特性。

15.組合型電湧保護器combination type SPD由電壓開關型元件和(hé)限壓型元件組合而成的(de)電湧保護器，其特性随所加電壓的(de)特性可(kě)以表現為(wèi)電壓開關型、限壓型或電壓開關型和(hé)限壓型皆有(yǒu)。

16.測量的(de)限制電壓measured limiting voltage施加規定波形和(hé)幅值的(de)沖擊波時，在電湧保護器接線端子(zǐ)問測得的(de)最大電壓值。17.電壓保護水平voltage protection level(Up)表征電湧保護器限制接線端子(zǐ)問電壓的(de)性能參數，其值可(kě)從優先值的(de)列表

中選擇。電壓保護水平值應大于所測量的(de)限制電壓的(de)最高(gāo)值。

18.1.2/50μs沖擊電壓1.2/50μsvoltage impulse規定的(de)波頭時間T1為(wèi)1.2μs、半值時間T2為(wèi)50μs的(de)沖擊電壓。

19.8/20μs沖擊電流8/20μscurrent impulse規定的(de)波頭時間T1為(wèi)8μs、半值時間T2為(wèi)20μs的(de)沖擊電流。

20.設備耐沖擊電壓額定值rated impulse withstand voltage ofequipment(Uw)設備制造商(shāng)給予的(de)設備耐沖擊電壓額定值，表

征其絕緣防過電壓的(de)耐受能力。

21.插入損耗insertion loss在電氣系統中：在給定頻率下，連接到給定電源系統的(de)電湧保護器的(de)插入損耗為(wèi)電源線上緊靠電湧

保護器接入點之後，在被試電湧保護器接入前後的(de)電壓比，結果用dB表示。電子(zǐ)系統中，由于在傳輸系統中插入一(yī)個電湧保

護器所引起的(de)損耗，它是在電湧保護器插入前傳遞到後面的(de)系統部分的(de)功率與電湧保護器插入後傳遞到同一(yī)部分的(de)功率之

比。通常用dB表示。

22.回波損耗return loss反射系數倒數的(de)模。一(yī)般以分貝（dB）表示。

23.近端串擾near-end crosstalk(NEXT)串擾在被幹擾的(de)通道(dào)中傳輸，其方向與産生幹擾的(de)通道(dào)中電流傳輸的(de)方向相反。在被幹擾的(de)通道(dào)中産生的(de)近端串擾，其端口通常靠近産生幹擾的(de)通道(dào)的(de)供能端，或與供能端重合。