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1本區內(nèi)的(de)各物體都可(kě)能遭到直接雷擊并導走全部雷電流，以及本區內(nèi)的(de)雷擊電磁場強度沒有(yǒu)衰減時，應劃分為(wèi)LPZO.區。
2本區內(nèi)的(de)各物體不可(kě)能遭到大于所選滾球半徑對應的(de)雷電流直接雷擊，以及本區內(nèi)的(de)雷擊電磁場強度仍沒有(yǒu)衰減時，應劃分為(wèi)LPZO區。
3本區內(nèi)的(de)各物體不可(kě)能遭到直接雷擊，且由于在界面處的(de)分流，流經各導體的(de)電湧電流比LPZO區內(nèi)的(de)更小，以及本區內(nèi)的(de)雷擊電磁場強度可(kě)能衰減，衰減程度取決于屏蔽措施時，應劃分為(wèi)LPZ1區。
4需要進一(yī)步減小流入的(de)電湧電流和(hé)雷擊電磁場強度時，增設的(de)後續防雷區應劃分為(wèi)LPZ2...n後續防雷區
